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元件参数资料
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参数目录42111
> FDP8870 MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
型号:
FDP8870
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDP8870 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
50
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
156A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.1 毫欧 @ 35A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
132nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5200pF @ 15V
功率 - 最大
160W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
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